Індекс рубрикатора НБУВ: В379.351

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В широкой спектральной области исследовано явление фотоплеохроизма в гетеропереходах оксид-p-InSe и n+-In2O3-p-GaSe. Максимальные значения коэффициента фотоплеохроизма (в Іn2O3-GaSe он достигает 65%, а в оксид-ІnSe - 40%) получены для краевого поглощения света кристаллами, которое совпадает с длинами волн излучения соответственно красного рубинового (?=0,6328 мкм) и инфракрасного неодимового (?=1,06 мкм) лазеров. Исследованные гетеропереходы могут быть использованы для упрощения регистрации азимутальной ориентации плоскополяризованного света.

In oxide-p-InSe and n+-In2O3-p-GaSe heterojunctions the photopleochroism effect is investigated in a wide spectral range. Maximum values of the photopleochroism coefficient (in the Іn2O3-GaSe heterojunction it achieves 65% and in the oxide-ІnSe one it is 40%) are obtained for the edge absorption with the crystals. It coincides with the radiation wave-lengths of red ruby (?=0,6328 ?m) and infrared neodymium (?=1,06 ?m) lasers. A monotonous decrease of polarization photosensitivity takes place in a depth of the fundamental absorption band.

Ключ. слова: гамма-облучение, фотодиод, p-n-InSe, окисел-p-InSe.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-01

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: FeIn2Se4, InSe, гетеропереход, фотоэлектрические параметры
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: SnS2, собственный оксид, нанообразования
Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25 + В379.271.4

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:

р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вперше виготовлено анізотипні гетеропереходи n-CdO - p-InSe на основі шаруватих кристалів InSe. Досліджено температурні залежності вольтамперних характеристик гетеропереходів і визначено механізми струмопроходження через бар'єр за прямого та зворотного зміщень. Встановлено область їх фоточутливості.

Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO - p-InSe. Приведены температурные зависимости ВАХ гетероперехода до и после отжига. Установлена область спектральной фоточувствительности гетероструктуры n-ZnO - p-InSe.

Методом високочастотного магнетронного напилення було сформовано тонку оксидну плівку ZnO на ван-дер-ваальсовій поверхні моноселеніда індію. Досліджено вплив вакуумного низькотемпературного відпалу на електричні та фотоелектричні характеристики гетеропереходів n-ZnO - p-InSe. Наведено температурні залежності ВАХ гетеропереходу до і після відпалу. Встановлена область спектральної фоточутливості гетероструктури n-ZnO - p-InSe.

The article is devoted to studying of influence of vacuum low-temperature annealing on the electrical and photoelectric characteristics of n-ZnO - p-InSe heterostructure. Indium monoselenide (InSe) is a semiconductor of the A3B6 group of layered compounds. The basic unit consists of two planes of metal atoms sandwiched between two planes of chalcogen atoms (Se-In-In-Se). The absence of dangling bonds on InSe cleaved surface makes it possible to use this semiconductor as a substrate for fabrication ofheterostructures based on semiconductor materials with different symmetries and lattice spacings. Zinc oxide (ZnO) is the most suitable material for window materials and solar cells buffer layers application due to its marvelous transparency in the rangeof visible region. InSe single crystals were grown by the Bridgman technique from a nonstoichiometric melt and characterized by a pronounced layered structure along the whole length of a sample. ZnO thin oxide film was formed on freshly cleaved van der Waals surface of InSe layered crystal. n-ZnO - p-InSe heterostructure was prepared by the method of high-frequency magnetron sputtering. Sensitivity spectral areas were identified by MDR-3 monochromator with a resolution of 2.6 nm/mm. The current-voltage characteristics of the n-ZnO - p-InSe heterostructures showed a clearly pronounced diode character. In the forward bias of the initial samples, the diode factor had the value 3.7 at room temperature. It is shown that vacuum low-temperature annealing reduces shunt currents of the heterojunction, which is reflected in the decrease in the values of n from 3.7 to 2.7.

Індекс рубрикатора НБУВ: К235.220.25

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.271.4

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 + В379.271.4

Рубрики:

р-n переходи

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ